Samsung ogłosił osiągnięcie jednego z najważniejszych postępów technologicznych ostatnich lat w dziedzinie pamięci masowych. Zespół 34 naukowców, współpracujących z koreańskim koncernem, opracował nowy typ pamięci NAND flash, który – według opublikowanych wyników – zużywa aż o 96 procent mniej energii niż stosowane obecnie rozwiązania. Odkrycie opisano w prestiżowym czasopiśmie Nature w artykule „Ferroelectric Transistor for Low-Power NAND Flash Memory”.

Przełom osiągnięto dzięki wykorzystaniu tranzystorów ferroelektrycznych, które pozwalają na precyzyjne blokowanie przepływu prądu poniżej określonego progu napięcia. To właśnie ta właściwość niemal całkowicie eliminuje tzw. prądy upływu – jeden z najważniejszych czynników odpowiedzialnych za straty energii w tradycyjnych układach NAND. W standardowych kościach pamięci, w których komórki są połączone w długie łańcuchy i w których liczba warstw przekracza dziś 300, straty energii rosną wraz ze zwiększaniem pojemności i wysokości struktury. Nowa architektura eliminuje znaczną część tych ograniczeń.

Jeśli technologia trafi do masowej produkcji, jej wpływ będzie ogromny. Smartfony mogłyby znacząco wydłużyć czas pracy na jednym ładowaniu bez konieczności powiększania baterii. Centra danych i operatorzy chmur odnotowaliby kolosalne oszczędności, co w dobie rosnącej popularności usług opartych na AI przełożyłoby się na redukcję milionowych kosztów energetycznych.

Na razie nie wiadomo, kiedy Samsung wprowadzi nową generację pamięci do linii produkcyjnych, jednak branża już uznaje ten przełom za jedno z najbardziej obiecujących osiągnięć nadchodzących lat. Tym bardziej że równolegle rynek przygotowuje się na debiut standardu UFS 5.0, który będzie wymagał wyjątkowo wydajnych i energooszczędnych nośników danych.